シリコンカーバイド応用製品 なら福島SiC応用技研株式会社

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加速器中子源

这产品不使用核反应堆而产生大量中子的加速器。通过将最先进的功率电子技术称为SiC串联谐振加速器驱动电路,我们实现了比以前更小的尺寸和更低的功耗。根据安装位置的电源环境,可以选择“脉冲加速模式”和“静电加速模式”两种加速模式。可以通过将氘核或质子束加速至0.1〜2.5MeV并照射各种目标,可以产生108 ~ 1013 neutrons/s 水平的中子。它具有中子束的自屏蔽功能作为标准,可以将其安装在现有X射线房间的屏蔽环境中,可以预期将来应用于各种领域。

SiC-BNCT癌症治疗装置

我们使用SiC加速器中子源与我们的SiC串联谐振型静电加速器,并且在患者周围安装了10个SiC加速器中子源,实现了中子束的多栅极辐射。通过进行多场照射,将中子束输送到身体深处的受影响部位,建立不需要开颅手术或开放性手术的BNCT技术。对于头颈部治疗的BNCT,我们使用加速器中子源模型号SiCANS-150D,对于肝胆胰腺治疗的BNCT我们使用SiCANS-400D。


高压脉冲发生器

高電圧パルス発生器

使用SiC半导体器件的高电压脉冲发生器比常规的“真空管式高压脉冲发生器”和“使用硅半导体器件的半导体脉冲发生器”具有更高的额定电压,额定电流,响应特性,故障率等 即使在设备单位性能方面,成本和性能也有优势。


SiC半导体断路器

SiC半導体遮断器

由于常规的断路器使用机械触点,因此当关闭高电压时会发生电弧,这需要几毫秒到几十毫秒才能完全关闭。SiC半导体断路器使用无电压接触,即使是几十kV甚至更高的直流高电压或交流高压,也可以瞬时(几百n秒)内没有电弧,电流可以关闭。使用传统的机械断路器,不能保护电路免受极快的电流变化和电压变化的影响。在SiC半导体断路器中,可以保护电路不受这种急剧的电压波动和电流波动的影响。此外,SiC(碳化硅)器件的导通电阻为Si(硅)器件的导通电阻的约1/10-1 / 100,可提供功率损耗少的节能产品。


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